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adsorption on Al(111) surface神農 宗徹*; 寺岡 有殿; 高岡 毅*; Harries, J.; 岡田 隆太; 岩井 優太郎*; 吉越 章隆; 米田 忠弘*
no journal, ,
The AlN thin film has been focused as a multi-functional material. A safety, cheap and energy-saving process is expected for the AlN thin film formation. We found the direct nitridation of Al(111) surface at 473 K by using supersonic N molecular beams (SSNMB). The uptake of N atoms was observed by photoemission spectroscopy with high brilliance and high energy-resolution synchrotron radiation (SR-XPS). The diffusion of N atoms may be a key process of the direct nitridation. The Al(111) nitridation was also observed recently in a temperature region from 300 K to 623 K. Remarkable temperature dependence has been shown in uptake curves. Thermal stability of the AlN layer, formed in a temperature region below 623 K, has been also investigated in a temperature region up to 773 K using SR-XPS. In this conference, we discuss chemical reaction mechanisms on the direct nitridation of Al(111) surface by SSNMB.
下山 巖; Li, X.*; 嶋田 行志*
no journal, ,
単層カーボンナノチューブ(SWNTs)の水平配列構造の形成はデバイスへの応用に対して必要不可欠な要素技術であり、近年石英単結晶上にSWNTsを配向させながら合成する手法が開発された。しかし、その配向メカニズムについては不明な点が多い。そこでわれわれはエタノールを用いた化学気相蒸着法(アルコールCVD法)を用いてミスカット石英単結晶表面に配向成長させたSWNTsに対し、ラマンスペクトルに観測されるGバンドの偏光依存性からその配向メカニズムについて調べた。高周波領域のG+バンドは低周波領域のG-バンドよりも大きい偏光依存性を示し、この傾向はGバンド内の振動モードの違いに依存しなかった。そこでわれわれはストークス及びアンチストークスラマン散乱によるGバンドの偏光依存性を比較し、Gバンド内の半導体成分が金属成分よりも大きい偏光依存性を示すことを見いだした。この結果は石英単結晶表面上で半導体SWNTsが優先的に配向している可能性を示唆している。
8) surface oxidized by supersonic O
molecular beam岡田 隆太; 吉越 章隆; 寺岡 有殿; 神農 宗徹*; 山田 洋一*; 佐々木 正洋*
no journal, ,
Si系電界効果トランジスタの新しいチャンネル材料として、Siよりも移動度等で優れたGeが期待され、その低指数面の酸化機構の解明が重要になっている。本研究では、特に電子移動度の高いGe(111)-c(28)表面上に、室温で超音速O分子線(2.2eV)を照射、及び、Oガスを曝露(0.027eV)して形成される酸化膜を放射光XPSによるその場分析によって比較した。超音速O分子線の照射によって、Oガス曝露の場合よりも吸着酸素量が増加することが明らかとなった。さらにGe酸化成分の比較から、この酸素吸着量の増加はGe
形成を伴う反応に起因することを見いだした。
1 surface caused by supersonic O molecular beams吉越 章隆; 岡田 隆太; 寺岡 有殿; 神農 宗徹*; 山田 洋一*; 佐々木 正洋*
no journal, ,
近年、VLSIの電界効果トランジスタのチャンネル材料にGeを用いて高性能化を図る研究が活発化しており、その低指数面の酸化機構の解明が重要になっている。本研究では、代表的な低指数面であるGe(100)-21表面上に超音速O分子線(2.2eV)及びOのバックフィリング(0.027eV)により形成した極薄酸化膜を放射光XPSによるその場分析によって比較した。Oの並進運動エネルギー(E
)を2.2eVとすることで、バックフィリングの場合よりも酸素吸着量が増加することが明らかとなった。さらに、Geの酸化成分の比較から、酸素吸着量の増加に対応した酸素吸着サイトの違いを発見した。